帶RIE等離子刻蝕機(jī)是干法刻蝕中zui常見的一種形式，其原理是暴露在電子區(qū)域的氣體形成等離子體，由此產(chǎn)生的電離氣體和釋放高能電子組成的氣體，從而形成了等離子或離子，電離氣體原子通過(guò)電場(chǎng)加速時(shí)，會(huì)釋放足夠的力量與表面驅(qū)逐力緊緊粘合材料或蝕刻表面。某種程度來(lái)講，等離子清洗實(shí)質(zhì)上是等離子體刻蝕的一種較輕微的情況。進(jìn)行干式蝕刻工藝的設(shè)備包括反應(yīng)室、電源、真空部分。工件送入被真空泵抽空的反應(yīng)室。氣體被導(dǎo)入并與等離子體進(jìn)行交換。等離子體在工件表面發(fā)生反應(yīng)，反應(yīng)的揮發(fā)性副產(chǎn)物被真空泵抽走。等離子體刻蝕工藝實(shí)際上便是一種反應(yīng)性等離子工藝。
帶RIE等離子刻蝕機(jī)處理模式：
直接模式——基片可以直接放置在電極托架或是底座托架上，以獲得zui大的平面刻蝕效果。
定向模式——需要非等向性刻蝕（anisotropic etching）的基片可以放置在特制的平面托架上。
下游模式——基片可以放置在不帶電托架上，以便取得微小的等離子體效果。
定制模式——當(dāng)平面刻蝕配置不過(guò)理想時(shí)，特制的電極配置可以提供。
濕法刻蝕相對(duì)于帶RIE等離子刻蝕機(jī)的缺點(diǎn)
1. 硅片水平運(yùn)行，機(jī)片高（等離子刻蝕去PSG槽式浸泡甩干，硅片受沖擊小）；
2. 下料吸筆易污染硅片（等離子刻蝕去PSG后甩干）；
3. 傳動(dòng)滾抽易變形（PVDF，PP材質(zhì)且水平放置易變形）；
4. 成本高（化學(xué)品刻蝕代替等離子刻蝕成本增加）。
此外，有些等離子刻蝕機(jī)，如SCE等離子刻蝕機(jī)還具備“綠色”優(yōu)勢(shì)：無(wú)氟氯化碳和污水、操作和環(huán)境安全、排除有毒和腐蝕性的液體。
帶RIE等離子刻蝕機(jī)檢驗(yàn)操作及判斷
1. 確認(rèn)萬(wàn)用表工作正常，量程置于200mV。
2.冷探針連接電壓表的正電極，熱探針與電壓表的負(fù)極相連。
3.用冷、熱探針接觸硅片一個(gè)邊沿不相連的兩個(gè)點(diǎn)，電壓表顯示這兩點(diǎn)間的電壓為正值，說(shuō)明導(dǎo)電類型為P 型，刻蝕合格。相同的方法檢測(cè)另外三個(gè)邊沿的導(dǎo)電類型是否為P型。
4.如果經(jīng)過(guò)檢驗(yàn)，任何一個(gè)邊沿沒有刻蝕合格，則這一批硅片需要重新裝片，進(jìn)行刻蝕。
產(chǎn)品分類
更新時(shí)間：2015-12-29 
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